STM32F103VBT6 128K 32Bit MCU 집적 회로 칩

ST IC 칩 STM32F103VBT6 ST마이크로일렉트로닉스 128K 플래쉬 메모리 32 비트 마이크로컨트롤러 MCU

제품 설명 : STM32F103VBT6

STM32F103VBT6 매체 밀도 퍼포먼스 시리즈는 72MHz, 고속 임베디드 메모리 (최고 128KB의 플래쉬 메모리와 최고 20KB의 SRAM)의와 다양하 작동 주파수와 고성능 ARM®Cortex®-M332-bit RISC 핵심을 사용하고 강화하 내가 2 APB 버스 /O와 주변 기기에 연결되었습니다. 모든 장비는 표준이고 고급 통신 인터페이스와 더불어, 2시 12분 비트 ADC, 세개의 다목적 비트 타이머들 16명과 한 PWM 타이머를 제공합니다 : 최고 2까지 I2Cs와 SPI, 3 범용 동기／비동기 송수신 회로, 한 USB와 한 깡통.

이러한 장치는 2.0 내지 3.6V 전원 공급기를 사용합니다. 그들은 +85' Ｃ에 대한 -40의 온도 범위와 +105' Ｃ에 대한 -40의 확장 온도 범위에서 사용될 수 있습니다. 절전 모드의 포괄적 세트는 저전력 애플리케이션의 디자인을 허락합니다.

STM32F103VBT6 매체 밀도 퍼포먼스 시리즈는 장치를 여섯이지 다른 패키지 형태에 포함시킵니다 : 36개 핀에서부터 100개 핀. 다른 주변 세트를 포함하는, 선택된 장치에 따르면 다음 설명은 시리즈에서 제안된 모든 주변 기기를 요약합니다.

이러한 기능은 모터 드라이브, 애플리케이션 제어, 의학적이고 휴대용 장치, PC와 게임 주변 장치, GPS 플랫폼, 산업 적용, PLC, 인버터, 프린터, 스캐너, 경보 시스템, 비디오 인터컴과 공조와 같은 적용의 넓은 범위에 대해 STM32F103VBT6 매체 밀도 성능 선 마이크로컨트롤러 시리즈를 적당하게 합니다.

주요 특징 : STM32F103VBT6

ARM®32-bit Cortex®-M3CPU 핵심 ;; 최대 주파수는 72MHz입니다, 1.25DMIPS/MHz (Dhrystone2.1) 수행이 0가지 웨이트 상태 기억장치 접근입니다 ; 단일 사이클 증가와 장치적 제산 ; 메모리 ; 64 또는 128KB 플래쉬 메모리 ; 20KB SRAM ; 시계, 리셋과 전원관리 ; 2.0 3.6V 적용 전원과 I/O.에 ; 피오알, PDR와 프로그램가능 전압 검출기 (PVD) ; 4 내지 16MHz 크리스탈 발진기 ; 내부 8MHz 공장 조정된 RC ; 내부 40kHzRC ; ＣＰＵ 클록을 위한 PLL ; 보정 기능과 RTC를 위한 32kHz 진동자 ; 저 전압 ; 수면, 정지와 대기 모드 ; VBAT은 RTC와 백업 레지스터를 제공합니다 ; 2x12 비트, 1μs Ａ／Ｄ 컨버터 (최고 16까지 채널) ; 변환 범위 : 0 내지 3.6V. ; 듀얼 샘플과 홀드 기능 ; 온도 센서 ; DMA ; 7 채널 DMA 제어기 ; 지원 주변 기기 : 타이머, ADC, SPI, I2Cs와 범용 동기／비동기 송수신 회로 ; 최고 80까지 빠른 입출력 포트 ; 26/37/51/80I/O, 모두가 16개의 외부 인터럽트 벡터에 매핑될 수 있으며, 그것의 거의 모두가 5V입니다 ; 허용한도 ; 디버그 모드 ; 일련 와이어 디버그 (SWD)와 JTAG 인터페이스 ; 타이머들 7명 ; 비트 타이머들 3시 16분명, 최고 4까지 IC / OC / PWM과 각각 또는 펄스 계수기와 구 (점진적) 인코더 입력 ; 데드 타임과 비상 정지 기능과 16비트 모터 콘트롤 PWM 타이머 ; 감시 타이머들 2명 (독립적이고 기간) ; 시스트릭 타이머 24 비트 다운 카운터 ; 최고 9까지 통신 인터페이스 ; 최고 2까지 I2C 인터페이스 (SMBus/PMBus) ; 최고 3까지 범용 동기／비동기 송수신 회로 (ISO7816 인터페이스, LIN, 적외선 데이터 통신 기능, 모뎀제어) ; 최고 2까지 SPI (18Mbit/s) ; 캔 인터페이스 (활동적인 2.0B) ; USB2.0 전속도 인터페이스 ; 씨알씨 연산 유닛, 96 비트 유니크ID

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